美光即将量产128层NAND Flash
作为公司的第二季度财务财报电话会议的一部分，美光公司透露，他们即将开始批量生产其基于公司新的RG（replacement gate）架构的第四代3D NAND存储设备。按照规，他们准备在当前财政季度（FY20财年第三季度）开始生产，并将于第四季度开始商业发货。总体而言，这将标志着制造商开始重大技术转型。
按照美光介绍，他们的第四代3D NAND使用多达128的有源层，并继续使用阵列设计方法下的CMOS。新型3D NAND存储器把浮栅技术（已被Intel和Micron多年使用）改为gate replacement 技术，以试图降低管芯尺寸和成本，同时提高性能，并简化向下一代节点的过渡。该技术完全由美光公司开发，没有英特尔的任何投入，因此它很可能是针对美光公司最希望针对的应用程序量身定制的（可能是较高的ASP，例如移动，消费类等）。
Micron第四代的28层3D NAND即将流片表示，表示该公司新设计不仅仅是一个概念。同时，美光还没有计划将其所有产品线都转换为最初的RG处理技术，因此明年公司范围的每位成本将不会大幅下降。尽管如此，该公司承诺在其后续RG节点广泛部署之后，到2021财年（从2020年9月下旬开始）将实现有意义的成本降低。
美光公司首席执行官兼总裁Sanjay Mehrotra表示：
“我们使用replacement gate或简称“ RG”实现了我们的第一个die。这个里程碑进一步降低了我们进行RG过渡的风险。提醒一下，我们的第一个RG节点将为128层，并将用于选择的一组产品。我们不希望RG能够在2021财年广泛部署第二代RG节点之前实现有意义的成本降低。因此，我们预计2020财年NAND的成本降低最小。我们的RG生产部署方法将优化NAND资本投资的ROI。”
美光今年将推出HBM2 DRAM在最新的财报电话会议中，美光科技透露，该公司将在今年晚些时候最终推出其首款用于带宽需求型应用的HBM DRAM。此举将使该公司能够应对诸如旗舰GPU和网络处理器之类的高带宽设备市场，在过去五年中，这些设备已转向HBM来满足其不断增长的带宽需求。而且，作为“三巨头”存储器制造商中的第三家也是最后一家进入HBM市场的公司，这意味着HBM2存储器将最终可从所有三家公司获得，这给该市场带来了新的竞争优势。
总体而言，尽管美光始终处于存储技术的最前沿，但迄今为止，该公司一直没有涉足HBM.相反，他们先前的工作重点是GDDR5X，以及混合内存多维数据集（HMC）对快速堆栈存储的不同看法。HMC是 三星和IBM于2011年首次宣布的，HMC是类似的堆叠DRAM类型，适用于带宽匮乏的应用，其特点是低带宽总线和极高的数据速率，可提供远远超过当时的内存带宽标准DDR3。作为HBM的竞争解决方案，HMC确实在市场上有一定用途，特别是在加速器和超级计算机等产品中。然而，最终，HMC在与更广泛的HBM / HBM2的对抗中败下阵来，美光科技在2018年将该项目转为支持GDDR6和HBM。
最终，美光花了大约两年的时间来开发其第一批HBM2存储设备，并且这些产品最终将在2020年面世。鉴于此次电话会议具有广泛的财务性质，美光并未透露其首批HBM2设备的规格目前，尽管可以肯定的是，将使用该公司的第二代或第三代10 nm级工艺技术（1y或1z）生产底层DRAM单元。同时，在性能和容量方面，美光显然将竭尽全力与三星和SK海力士竞争。
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