国产沉浸式光刻机或年底到来，华为芯片何时国

都知道，华为海思芯片订单一直都是由台积电代工生产的，而华为每年给台积电贡献数百亿元的营收，成为台积电第二大客户，仅次于苹果。

华为余承东曾公开表示，华为能够研发设计一流的芯片，但国内暂时还无法生产制造。

据了解，国内厂商中芯国际目前能够量产14nm以及N+1等工艺的芯片，但也采用美国技术，毕竟光刻机是ASML的。

也就是说，国内暂时无法实现量产华为海思芯片，是因为先进的国产光刻机等设备没有到来。

但现在不同了，关于国产先进光刻机有了最新的消息。

根据外媒的最新的报道，上海微电子即将推出新一代国产光刻机，其相当于是ASML的DUV光刻机，都是沉浸式的，预计下线量产时间是今年年底，最迟明年年初。

另外，上海微电子新一代光刻机采用与ADML DUV光刻机一样的光源技术，这意味着其能够用于生产制造28nm到10nm之间的芯片。

当然，DUV光刻机能够生产制造7nm芯片，台积电就曾实现，其采用的是多层曝光技术。

其实，关于上海微电子新一代光刻机，上海市人大代表也曾表示，其将会在今年年底到来。

国产沉浸式光刻机年底到来，华为芯片何时国产化，院士给出时间表据悉，台积电不能自由出货后，华为海思芯片就无法生产制造，即便是连40nm以上制程的芯片，也没有厂商敢接。原因是生产芯片所用到的光刻机是来自ASML，其都含有老美技术，在这样的情况下，华为不得不全面进入芯片半导体领域内，甚至有意自建芯片生产线。

如今，最新的消息称，国产沉浸式光刻机将会在年底到来，这意味国内厂商就有自己的先进光刻机，不用向ASML购买DUV光刻机等设备。

可以说，有了国产先进光刻机，就能够组建纯国产的芯片生产线，华为海思芯片就能够顺利在国内生产制造。

于是，很多网友都关心，华为芯片何时国产化，毕竟有了先进国产光刻机，国内厂商就能够放弃ASML的设备，采用国产设备，降低美国技术占比，甚至不含老美技术。对于华为芯片何时国产化，院士也给出了时间表，大概是1-2年的时间，也就是说，上海微电子的新一代光刻机下线后，1-2年就能够组建纯国产的芯片生产线。

据了解，上海微电子新一代光刻机可用于生产制造28nm到10nm之间的芯片，而国产倒片机也已经用于28nm的芯片生产线中，至于蚀刻机，国内技术已经达到5nm。也就是说，年底新一代国产光刻机下线后，芯片生产线三大主要设备都实现了国产化，届时，仅需要1-2年时间，国内厂商就能够组建28nm国产芯片生产线。

当然，至于14nm以及10nm以下的国产芯片生产线，也会不会等太久，毕竟，光刻机、蚀刻机以及芯片生产技术，国内厂商都已经掌握了。

最主要的是，一旦国产新一代光刻机下线后，老美自然还会对ASML等厂商进行放行，允许其自由出货更多光刻机等相关设备，毕竟这是美的一贯作风。

对于华为芯片何时能够国产化，你们怎么看，欢迎留言、点赞、分享。