为追赶台积电跳过4nm工艺，传三星电子已修改芯

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集微网7月2日消息（文/Wilde），据DigiTimes报道，与其竞争对手台积电在工艺路线上的计划不同，三星电子将跳过4nm工艺，直接由5nm跃升至3nm。台积电计划其4纳米N4工艺有望在2023年完成。据报道，台积电还为其3nm芯片生产设施获得了200亿美元的投资，并计划2021年风险试产，2022年上半年大规模量产。

曾为苹果代工A系列芯片的三星电子，近几年在芯片工艺方面虽然不及台积电，获得的芯片代工订单也不及台积电，但仍是唯一能在工艺上跟上台积电节奏的厂商。台积电在芯片工艺方面近几年一直走在行业前列，7nm和5nm工艺都是率先投产，良品率也相当可观。

目前台积电和三星电子的芯片工艺都已经到了5nm，其中台积电的5nm工艺是已大规模量产；此前传三星电子投资了81亿美元建设一条的新5nm芯片工艺生产线。（校对/Aki）

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