武汉新芯50nm NOR Flash全线量产，die size较市场主流

与非网 5 月 14 日讯，武汉新芯集成电路制造有限公司（以下简称“武汉新芯”）近日推出，采用 50nm Floating Gate 工艺 SPINOR Flash宽电压产品系列 XM25QWxxC 全线量产，产品容量覆盖 16Mb 到 256Mb。该系列支持低功耗宽电压工作，为物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用提供灵活的设计方案。

据了解，XM25QWxxC 系列产品在 1.65V 至 3.6V 电压范围内读取速度可达 133MHz（在所有单 / 双 / 四通道 SPI 和 QPI 模式下均支持），可以更好地支持电池供电便携式产品的工作要求。在电源电压下降后，时钟速度没有任何减慢，其传输速率可以胜过 8 位和 16 位并行闪存。在连续读取模式下能实现高效的存储器访问，仅需 8 个时钟的指令周期即可读取 24 位地址，从而实现真正的芯片内执行（XIP,eXecute In Place）操作，这样系统可以直接从 Flash 闪存内读取指令并执行，不必再把代码读到 RAM 中运行，加快了数据处理速度，更好地满足各类嵌入式应用的实时性要求。

该系列产品不仅在电压范围和数据读取方面表现突出，其工作温度也可以达到 -40℃到 105℃的工业级温度范围，这能满足物联网、工控、通讯等对外部工作环境要求苛刻的应用模块。乐鑫科技对此表示：“我们与武汉新芯合作的该系列产品容量覆盖 16-128Mbit，其新品支持低功耗宽电压工作，高温可达 105℃，能满足乐鑫科技全系列物联网芯片，智能家居及工业模组的应用要求。”

XM25QWxxC 系列除了支持 SOP8 和 USON8 小尺寸封装，在中高容量产品也将针对可穿戴设备等尺寸受限的应用推出 WLCSP 封装，协助客户将空间利用发挥到极致。全线产品支持 Known Good Die (KGD)解决方案，并为客户提供 RDL 服务，满足客户定制化的 SiP 需求。

“XM25QWxxC 系列产品采用业界先进的 50nm Floating Gate 工艺，在性能和成本方面进一步提高了竞争力。”武汉新芯运营中心副总裁孙鹏先生表示，“针对快速发展的 IoT 和 5G 市场，武汉新芯将持续投入研发自有品牌的闪存产品，不断拓展产品线，为客户带来更多高性价比的产品与解决方案。”

武汉新芯的 50nm 产品在 Channel length、Layout、Design rule 以及外围电路方面都做了优化，有效节省芯片面积，综合成本全球最低。其中 256Mb 大容量宽电压产品 die size 比市场主流产品缩小 15%-20%左右，且可支持 SOP8 小尺寸封装形式。

基于公司在 NOR Flash 领域先进的闪存研发技术和高效的产品研发体系，稳定可靠的生产平台和快速响应的交付能力，武汉新芯有信心将自有品牌 NOR Flash 业务推广到 PC、通讯、电表等高端应用市场，后续更大容量、更小尺寸、更低功耗、更高标准的产品也将逐步推向市场。

武汉新芯集成电路制造有限公司于 2006 年在武汉成立，是一家领先的集成电路研发与制造企业，专注于 NOR Flash 与晶圆级 XtackingTM 技术，致力于为全球客户提供高品质的创新产品及技术服务。