关于芯片，中芯国际传来好消息，三星、台积电
关于芯片，中芯国际传来好消息
提起芯片这项核心技术，很多人都会为国产公司感到担忧，因为自从米国规则正式生效之后，国内就只能依靠自己的力量来保证芯片的供应充足。但需要注意的是，芯片技术的突破短时间内很难完成，国内只有坚持自研工作，才能不断地取得新的进展。
就目前的局面来看，在加大对半导体产业的投入力度之后，近几年国内涌现出了很多与芯片相关的企业。它们有的负责芯片设计，有的负责生产制造，可以说是各司其职，但都在朝着同一个目标前进，那就是让国产芯片顺利崛起，不再依赖国外技术。
就拿华为海思来说，它是国内最出色的芯片设计公司，也是米国规则的首要针对对象。海思虽然能设计出顶尖的芯片产品，但是却不具备生产制造的能力，华为要想确保有足够的芯片可用，必须与代工厂建立合作，这就让米国抓住了机会。
为此，如今华为海思已经调整了战略方向，开始全面布局半导体市场，不仅要做芯片设计，还致力于攻克芯片制造方面的技术。前段时间，国内有媒体报道称，华为宣布了入局光刻机的决定，并且建设了新的工厂，这都是海思转型前所做的准备。
而除了华为海思之外，近日关于芯片，中芯国际传来好消息，让三星、台积电只能接受现实。中芯国际是国内大陆最大最先进的芯片代工厂，主要业务与华为海思不同，并非是设计芯片，而是负责为各大客户生产代工芯片，与三星和台积电差不多。
此次中芯国际传来的好消息就是第二代N+1工艺取得了重大突破，预计在今年四月份就能风险试产7nm芯片。换而言之，由中芯国际自主研发出来的国产7nm芯片就要来了，这代表了国内的芯片制造水平再进一步，要不了多久就能赶超国外先进技术！
所谓的N+1工艺，就是中芯国际掌握的一项芯片制造技术，通过第一代N+1工艺可生产出14nm的芯片，而第二代N+1工艺就可以媲美台积电的7nm制程了。据中芯国际官方表示，目前第二代N+1工艺进展顺利，4月份试产7nm芯片也在计划之中。
由此可见，随着外部形势的不断变化，中芯国际的技术水平也在不断地进步，这对于国内而言自然是一个非常好的消息。可以预料的是，只要中芯国际保持这种发展状态，将来肯定可以追上三星、台积电的脚步，甚至还有可能实现反超。
不过，从另一方面来看，对于中芯国际的技术突破，三星，台积电只能接受现实，它们没想到中芯的7nm来得如此之快！要知道，在此之前，全球范围内就只有三星和台积电这两家代工厂能够量产7nm芯片，所以它们在高端市场几乎占据了垄断的地位。
但是现在情况不一样了，在中芯国际完成突破之后，高端芯片市场又多了一个竞争者，三星和台积电的份额肯定会有所缩水。而且之前三星、台积电的领先还是比较大的，但中芯国际只用了短短几年的时间就能追上来，这足以证明后者的潜力。
从28nm到14nm，再到如今的7nm，中芯国际满打满算一共只用了三年的时间，而当初三星、台积电花费的时间是它的数倍。从中不难看出，只要再给中芯一段平稳的发展时间，三星、台积电迟早被它赶超，这不是吹牛，而是事实！
综上所述，关于芯片，中芯国际传来的好消息，可以帮助国内很多公司缓解供货压力，也将进一步实现自主化生产。但切记千万不能因此而骄傲自满，中芯国际的突破只是阶段性的，未来还有很多难关等着它去攻克，国产芯片崛起这条路任重而道远！
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