光刻机！清华大学正式宣布成果，中国光刻机技

文|科技在前方

众所周知，制约我国芯片发展的最大短板就是“缺芯少魂”。尽管华为等企业已经突破了芯片设计的瓶颈，但在芯片制造方面我国却依然没有大的突破。而在芯片制造过程中，光刻机又是重中之重。如果将半导体芯片比作人的大脑，那么光刻机就是复制大脑的重要工具。所以说，光刻机被誉为半导体产业界最为耀眼的掌上明珠。

正是因为我国没有高端光刻机的制造能力，才会在光刻机、材料等核心领域处处被“卡脖子”。以至于在美国修改芯片规则后，华为海思就算有全世界顶尖的芯片自研能力，也无法顺利得到自己所需要的芯片，甚至面临着芯片危机的尴尬处境。在逐步地意识到自主研发的重要性后，我国重点科研单位中国科学院对外宣布，将把光刻机等高端芯片技术列入科研任务，防止遭遇“卡脖子”。

很显然，我国要想实现高端芯片完全自主可控，就要打破国外光刻技术的层层壁垒，比如美国EDA软件、光刻技术所用到的光源等等。在EDA软件方面，我国华大九天自2009年成立之初，便肩负起了打破技术封锁的历史使命，在光刻机光源方面，为了解决这一“卡脖子”难题，我国无数研究人员也在默默努力。

当中科院、中国科研企业以及研究人员正在努力的同时，国内光刻技术领域传来好消息。根据最新媒体报道，清华大学正式宣布了一项研究成果，完成了新型粒子加速器光源“稳态微聚束（SSMB）”的测试，并且该重要研究成果已发表在世界《自然》杂志上。

厉害了！清华大学这一重要研究结果一经发布，便引起了世界范围的广泛

要知道，在芯片制造过程中，光刻机是必不可少的精密设备，是集成电路芯片制造中最复杂和关键的工艺步骤。光刻机的曝光分辨率与波长有着直接关系，即光刻技术的光源波长越短，光刻工艺要求越高、功率越大，比如EUV光刻机就是采用的波长为13.5纳米光源的EUV（极紫外光源）光刻，功率约250瓦。

但随着芯片越来越小工艺越来越复杂，EUV光源功率的要求也在不断提升，未来将达到千万量级。也就是说，EUV光刻的光源波长短、功率大，才是突破EUV光刻技术未来发展的绊脚石，而清华大学研发出的这种光源完美地破解了中国在光源技术上的突破，为大功率EUV光源提供了新的解决思路。

虽然新型粒子加速器光源（SSMB）还在实验阶段，但值得肯定的是，一旦持续的对技术进行攻关和上下游产业链配合获得成功，就有望解决我国在光刻机领域被“卡脖子”的难题。同时，这也将大大提升国产EUV光刻机自研的步伐，而由此映射出“中国芯”正在崛起。

总而言之，中国在光刻机最为核心的光刻技术获得的这项新突破，为我国芯片、光刻机等核心领域奠定了基础。不过千里之行始于足下，光源技术的突破证明我国在光刻机技术领域还是有迹可循的，那么接下来希望我国继续在更多的领域取得突破，争取早日传来更多的好消息。

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