从2018年末荷兰ASML光刻机公司工厂的一场火灾开始,中芯国际的光刻机进口之路开始波折起伏,其花费近8.2亿购买的一台EUV深紫外光刻机,是否会延迟交付我们不得而知。但经过一整年时间,荷兰出口EUV光刻机到中国的许可证由于到期,到现在也迟迟没有续期,导致EUV光刻机交付进一步推迟。而中芯国际制造7纳米芯片所用的关键设备,EUV光刻机则是重中之重,可以说没有这台EUV光刻机,中国整个7纳米半导体的研发进程将会受阻。难道中国赶超美韩高精度、先进半导体芯片的脚步将会止步于此吗?
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中芯国际14纳米芯片已经量产下一代制程工艺也在研发当中
根据中芯国际对外公开的财报显示,国内首条14纳米芯片生产线在上海已投入使用,中国14纳米级芯片已经突破量产,而能耗下降20% 、性能提高10%的12纳米级芯片订单已经开始导入,各种现象表示中芯国际已经开始了下一代芯片半导体的研发进程。在7纳米以上的光刻机,ASML公司一直向我国正常供应。目前ASML公司在中国的光刻机市场正在快速崛起,其占全球的市场份额约19%,超过美国16%的份额,可以说中国的光刻机市场是ASML公司不可忽视的,这些因素都关系着双方的未来。
不同纳米级的光刻机决定了芯片的制造精度其功能也受此影响
一根细丝千分之一的机内运行误差,数万个高精度部件,上千万行计算机代码共同构成了一个运行系统,这就是光刻机——被业内人士誉为半导体行业皇冠上的明珠。芯片制造中最为关键的一步就是光刻,其具体功能就是将设计师研发的芯片线路和功能区,通过光刻机的高精度运行,刻在一片圆形硅晶片面上,这些线路就是设计师所规划的芯片运行指令。所以不同纳米级的光刻机决定了不同精度芯片的制造。中国想要攻克7纳米级芯片,必须首先研发出7纳米级的EUV光刻机。
中国国内规模庞大的芯片生产依赖高精度的EUV光刻机
而目前中国拥有的光刻机精度仅能达到45纳米,就连28纳米级我们也正在研发当中,而EUV高精度光刻机的研发更上难上加难。荷兰ASML公司早在20年前就启动了EUV光刻技术的研发工作,而直到去年全球首款7纳米EUV光刻机才正式投入商用。属于第五代光刻机的EUV深紫外光刻机,放眼全球仅荷兰一家掌握制造工艺。目前中国芯片的制造已经逐渐走在各国前列,已经有超1.5万亿的投资落在12英寸的晶圆生产上,不仅如此中国高精度芯片的研发同样处于全球前列,所以对光刻机的需求也是迫在眉睫。
中国近日提前成功攻克了2纳米芯片研发制造的关键技术
就在全球处于7纳米芯片的进一步研发制造时,近日中科院成功攻克了2纳米级芯片所需的关键技术——垂直纳米环栅晶体管,为今后我国2纳米级半导体的研发提前打下了基础,堪称全球首创。从去年台积电攻克3纳米环栅晶体管开始,中国首次在高精度芯片的技术研发上走在世界前列。2纳米芯片的制造生产以及将于2024年投入,而此次2纳米关键技术的攻克破冰,称得上是意义重大。如果ASML公司的EUV光刻机能成功交付,相信中国的芯片研发制造定能走得更远。